一種基于氣相沉積法制備大面積超平NiO薄膜的方法,屬于有機無機復合材料和光電材料技術領域。通過真空蒸鍍系統,在基底上氣相沉積一層金屬Ni,經由高溫氧化制備了致密、平整的NiO薄膜,此薄膜具有良好的p型半導體特性。相比旋涂法制備的NiO薄膜,氣相沉積的大面積NiO表面更加致密平整,粗糙度大大降低,更有利于NiO對空穴的抽取,促進高效的電荷分離與傳輸。該工作為制備大面積均勻致密的NiO薄膜提供了一種全新解決方案。
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