本發明涉及聚吡咯包覆的碳納米管復合熱電材料的制備方法,特別是在以過硫酸銨作為氧化劑的情況下,吡咯通過原位氧化聚合對碳納米管包覆形成復合熱電材料的制備方法。本發明的制備方法是以廉價易得的吡咯單體和性質穩定的碳納米管為原料,以聚對乙烯苯磺酸鈉(PSSNa)為表面活性劑,1,5-萘二磺酸為摻雜劑,過硫酸銨為氧化劑,以水為溶劑,在室溫下通過吡咯的原位氧化聚合得到高效率合成碳納米管/聚吡咯復合熱電材料。本發明克服了純導電高分子聚吡咯的本征低電導率和碳納米管的高熱導率等缺點,充分利用聚吡咯的低熱導率和碳納米管高電導率的特點,通過將兩者有機復合,提供一種操作簡單、綠色環保,反應溫度低,組分分散均勻性好的聚吡咯包覆碳納米管的高熱電性能復合材料制備新方法。
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