本發明涉及一種等離激元正金字塔陣列基底及體外細胞內物質遞送方法,通過結合多種微納加工技術,在單晶硅表面刻蝕出周期和尺寸可調控的正金字塔陣列結構,進而沉積金屬層或者其他復合材料層使其具備優異的原位等離激元性能和等離子光熱轉換性能,最后將細胞播種在基底表面,通過光源輻照的方式促進物質向細胞內的遞送。與現有技術相比,本發明制備的等離激元陣列結構整齊可控,物質遞送效率高,體外細胞活性保持良好,為廣譜和高通量的細胞內遞送提供了一種新的思路,具有廣泛的應用前景。
聲明:
“等離激元正金字塔陣列基底及體外細胞內物質遞送方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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