本發明屬微電子技術領域,具體為一種多值相變存儲器的實現方法。它利用相變薄膜材料或相變薄膜材料與其它半導體材料的復合材料的半導體特性構建半導體薄膜晶體管,利用相變材料可以在電學作用下電阻發生可逆變化的特性來改變半導體薄膜晶體管的溝道長度,達到在單個存儲單元中存儲多位數據的多值存儲的功能。由于薄膜晶體管可以構成空間的立體結構提高密度,而不占用硅襯底的面積。因此采用本發明方法的存儲器件可以極大的提高存儲密度,同時解決目前基于1T1R結構的相變存儲器的外圍電路占用硅襯底面積大的問題。
聲明:
“多值相變存儲器的實現方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)