二維二硫化鎢是一種類石墨烯的新型二維材料,在電學器件、能源、生物和復合材料等方面有極大的應用潛力。制備二維二硫化鎢方法包括機械剝離、電化學鋰離子插層法、液相剝離法。水熱法以及化學氣相沉積法等,其中化學氣相沉積法在制備二維二硫化鎢時有著尺寸、層數可控,材料結晶質量高等方面的優勢。目前CVD法制備二硫化鎢的研究較少,已有的報道中制備的二維二硫化鎢尺寸只有幾十到一百微米,無法達到可控生長的目的。本專利圍繞化學氣相沉積法,改進生長工藝,使生長過程不再需要真空低壓條件,在常壓下就可進行,使用簡單的單溫區管式爐即可生長出高質量的,使實驗過程更加簡單,實驗成本大大降低,并且提高了實驗制備的可控性。
聲明:
“二硫化鎢的可控制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)