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            > 記憶合金均載連接減振元件的制造方法

            記憶合金均載連接減振元件的制造方法

            849   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 17:24:44
            記憶合金均載連接減振元件的制造方法,它涉及一種減振元件的制造方法。本發明解決了現有復合材料脆性大,性能各向異性,機械加工易分層,局部強度差,接頭受力復雜,一旦構件局部過載,會因應力集中導致整個構件迅速破壞的問題。其制造方法如下:一、將TiNi記憶合金經冷軋變形20%以上,然后在300℃~550℃退火處理1小時,然后機械加工,再約束時效即得元件;二、將元件按照先放入液氮再放入沸水的順序重復20~100次,即得記憶合金均載連接減振元件。采用本發明方法制備的均載連接減振元件,同時具有優良的超彈性性能(恒彈力應變可達8%、高的上平臺應力大于490MPa)以及優異的阻尼行為,可實現完美的均載連接,避免局部應力集中而導致的失效破損問題。
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