本發明公開了一種鉬基碳納米管電子封裝材料的制備方法,具體按照以下步驟實施:步驟1,鉬粉提純,將鉬粉在氫氣爐內進行高溫還原以祛除表面的氧化層,步驟2,磁控濺射,所用靶材為銅或者鉻,步驟3,碳納米管生長,將步驟2中表面已經濺射銅,鉻催化劑的鉬粉,放入CVD爐內進行碳納米管生長,步驟4,熱壓,將拓撲結構的鉬與碳納米管的復合材料,在熱壓爐內盡心熱壓燒結,將拓撲結構的鉬與碳納米管的復合材料,在熱壓爐內盡心熱壓燒結。采用碳納米管進行復合的方法,解決了現有技術中制備的封裝材料熱導率不高和孔隙率高的缺點。
聲明:
“鉬基碳納米管電子封裝材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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