本發明提供一種基于貝殼結構啟發的制備柔性,超疏水,超高電磁屏蔽復合薄膜的方法。利用傳統靜電紡絲方法制備PAN@SiO2納米纖維膜,然后通過Ag濕化學沉積方法制備導電復合材料。納米纖維內部含有的SiO2顆??梢蕴峁└街稽c,有利于Ag納米顆粒均勻的沉積到纖維表面。最后引入低表面能的全氟癸基硫醇(PFDT)對其疏水處理,從而有效地防止Ag層被氧化和腐蝕。該方法可以通過控制PAN@SiO2纖維膜在含Ag+溶液中的浸漬時間控制Ag顆粒的沉積量,而且經過疏水處理的導電復合材料在酸堿鹽等環境中可以長期使用。這項工作證明了納米結構在電磁屏蔽方面的優勢而且證明了由其制備的導電材料在可穿戴材料和柔性傳感器方面中具有很高的潛在應用價值。
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“基于貝殼結構啟發的柔性,超疏水,超高電磁屏蔽復合薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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