本發明屬于半導體復合材料領域,公開一種用于交叉點內存陣列用的電阻開關與選擇器共存器件及其制備方法和應用。本發明主要是建立在不同電極效應下的摻鈮SrTiO3單晶形成的,通過引入不同的電極Ag和Au以及不同的測試方法,進而使得摻鈮SrTiO3單晶上電阻開關與選擇器效應共存。該器件由下到上依次包括底電極層、SrTiO3摻Nb單晶層、頂電極層,底電極層為Ag,頂電極層為Ag或Au。
聲明:
“用于交叉點內存陣列用的電阻開關與選擇器共存器件及制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)