本發明公開了一種低熱膨脹系數SiO2/聚酰亞胺復合薄膜及其制備方法。該復合材料由基體材料剛性聚酰亞胺與SiO2原位復合而成,基體聚酰亞胺是由1,2,4,5?均苯四甲酸二酐(PMDA)與2?(4?氨基苯基)?5?氨基?苯并噁唑(BOA)縮聚制得。本發明SiO2/聚酰亞胺復合材料制備工藝簡單,SiO2在基體材料中分散較好。與現有技術相比,本發明提供的SiO2/聚酰亞胺復合薄膜,在基材的分子結構中引入了剛性的PMDA與BOA結構單元,同時BOA的高耐熱性,使得所制SiO2/聚酰亞胺復合薄膜展現出高熱穩定性及低熱膨脹系數。能夠較好的滿足于集成電路和芯片封裝技術方面對硅基材料熱匹配的要求,可以應用于微電子行業,如電子封裝領域多層布線技術中的絕緣層;也可用于太陽能電池中的絕緣層等。因而,具有較為廣闊的應用前景。
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