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            > 碳化硅晶須的制備方法及相關應用

            碳化硅晶須的制備方法及相關應用

            875   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 17:12:19
            該發明公開了一種納米SiC晶須的制備方法,具有高達100%的晶須產率。工藝原料為商業碳源和稻殼白灰的均勻混合物。在惰性氣氛中將該混合物加熱到高溫(1500℃),并且在該溫度下保溫一段時間。反應后,產物主要是β-SiC納米晶須(光滑表面或者表面有小顆粒而呈串珠結構)。將反應產物在空氣中加熱到700℃,保溫(120分鐘)除去殘余的碳元素,以得到高純度的SiC晶須產品。所得SiC晶須直徑為200nm到400nm,長度為數十微米。SiC的一系列優異的性質使其具有廣泛的應用,例如用于復合材料中的增強相,以及在熱流體中用于增加熱傳遞系數。本發明中,串珠結構的SiC晶須用于復合材料的增強,比起傳統的光滑纖維效果更加明顯;SiC晶須對于熱流體的熱傳遞系數有大幅度提高。
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