本發明目的在于提供一種新型C波段復合電磁吸波材料的合成方法,屬于納米材料技術領域,具體涉及一種具有超高吸波性能的低頻吸波材料(Cu@Sn/rGO)的制備,包括如下步驟:采用溶膠?凝膠和硬模板法結合的方式制備多孔二氧化錫材料,然后采用化學鍍工藝成功沉積銅層,最終經過水熱過程合成新型C波段復合電磁吸波材料。本發明利用Cu@Sn微球成功的調節了復合材料的阻抗匹配,并且引入了豐富界面使得其極化損耗有較大的提高。最終,Cu@Sn/rGO復合材料在C波段擁有較好的微波吸收性能,當吸收劑的填充量為5 wt%時,最小的反射損耗值為?49.19 dB(6.08 GHz),并且有效吸波帶寬(RL
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