本發明涉及超級電容器電極材料技術領域,且公開了一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料,包括以下配方原料及組分:磺化聚苯乙烯納米微球、SnCl2、g?C3N4?石墨烯復合材料、檸檬酸鈉。該一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料,g?C3N4成多孔蜂窩狀,具有發達的比表面積和孔隙結構,提供了更多的反應活性位點,納米SnO2均勻地分散和負載到g?C3N4?石墨烯復合材料比表面和孔隙中,降低了納米SnO2團聚和堆積的現象,納米SnO2空心微球和g?C3N4之間產生異質界面結構,可以減少SnO2的體積膨脹現象,通過高溫熱還原法,使一部分納米SnO2還原成SnO,兩者之間形成PN異質界面,產生內建電場,加速了電荷的轉移和傳輸,增強了電極材料的導電性能。
聲明:
“錫氧化物-改性g-C3N4的超級電容器電極材料及其制法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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