本發明是一種太陽光譜吸收膜層設計方法。本發明通過確定預選材料的介電函數;復合不同配比材料的介電函數,計算得到介電函數曲線,篩選滿足要求的復合材料配比;構建膜層結構模型,確定膜層結構模型的物理數據;針對單一物理變量進行改變和優化,選取復合要求的或者最優的結構模型;根據篩選的復合材料配比和最優結構模型,選擇、制定和優化膜層制備工藝。本發明對非磁性的高太陽光譜吸收率膜層的制備工藝進行設計與優化,可以顯著縮小實驗過程中部分參數的選取范圍,減少錯誤實驗所造成的人物力損耗,更加快速高效的確定最優工藝,從而提高膜層開發和生產的效率。
聲明:
“太陽光譜吸收膜層設計方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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