本發明公開了一種ZnO@SnO2樹枝狀異質結構納米材料及其生長方法。其中ZnO@SnO2樹枝狀異質結構納米材料的“樹干”為ZnO納米線,SnO2一部分以覆蓋的方式包裹在ZnO納米線表面,另一部分以“樹枝”的形式從ZnO納米線“樹干”表面生長出來。本發明采用CVD方法,使用專用的水平管式爐設備,簡單易行,所用原料價廉,工藝簡明而易于操作,可實現大規模工業化生產。且制備所得的ZnO@SnO2樹枝狀異質結構納米材料所形成的多級結構,產生了新的納米形貌,是一種新的異質結構,并導致新的界面,其較大的比表面積增加了反應的活性位點,從而可提升該納米復合材料的反應特性,拓展其在能源存儲、催化和傳感領域的應用前景。
聲明:
“ZnO@SnO2樹枝狀異質結構納米材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)