本發明公開了一種氮磷共摻雜多孔碳包覆硅基材料的制備方法,以植酸為碳源和磷源,鹽酸胍為氮源和碳源,對硅基材料進行包覆改性,最終得到一種以氮磷共摻雜多孔碳為包覆層的核殼結構的復合材料,其中硅基材料的質量比為90%~97%,植酸的質量比為2%~5%,鹽酸胍的質量比為1%~5%。本發明方法制備的復合材料,不僅提高了硅基材料的導電性,還有效緩沖了硅基材料在充放電過程中的體積膨脹,改善了材料的穩定性和容量。
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