本發明屬于材料制備領域,具體公開了一種六方氮化硼陶瓷材料穩定碳酸銀半導體的制備方法。包括如下步驟:(1)制備石墨相六方氮化硼納米片;(2)沉淀法制備氮化硼/碳酸銀納米復合物:將制備的六方氮化硼納米片在去離子水中超聲分散,后加入硝酸銀,磁力攪拌條件下逐滴加入碳酸氫鈉溶液,后經去離子水和無水乙醇離心、洗滌、干燥后得到目標產品。本發明采用高溫煅燒法制備出石墨相六方氮化硼,并以其作為載體,通過簡單的沉淀法制備出氮化硼/碳酸銀復合材料,得到活性和穩定性明顯提高的復合材料,在協同催化及穩定半導體方面具有重要的意義。
聲明:
“六方氮化硼陶瓷材料穩定碳酸銀半導體的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)