本發明公開了一種可直接用于電化學沉積的有序多孔氧化鋁模板及制備方法,其阻擋層厚度為100-300nm,未被氧化的鋁基體可直接作為電化學沉積電極,無須再進行去阻擋層和鍍電極過程。其制備方法,包括:將鋁箔進行退火以消除剪切鋁箔過程所產生的應力;清洗退火后的鋁箔去除其表面的污漬;去除鋁箔上的自然氧化層;將鋁箔電解拋光;將拋光后的鋁箔進行一次陽極氧化;將一次氧化后的鋁箔去除一次氧化膜;將去除一次氧化膜后的鋁箔進行二次陽極氧化。本發明方法的模板制備成功率高,不易損壞;不僅簡化了納米線/有序多孔氧化鋁復合材料的制備流程,還有利于該復合材料的性能研究。
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