本發明公開了一種MoS2/CdS薄膜電極的制備方法和應用。所述制備方法包括以下步驟:采用恒壓電流的方法制得硫化鎘薄膜;然后在惰性氣體保護條件下將制備的硫化鎘薄膜于400℃~500℃煅燒30~60分鐘,使其晶化成CdS薄膜電極;采用恒壓電流的方法制得MoS2/CdS復合材料薄膜;然后在惰性氣體保護條件下將制備的復合材料薄膜于500℃~550℃煅燒50?70分鐘,使其晶化成MoS2/CdS納米薄膜電極。本發明的電極將MoS2電沉積到CdS薄膜電極上,納米MoS2均勻分布在CdS薄膜表層,增強了CdS的電子傳導能力,拓寬其在可見光區的吸收范圍,提高其光電轉換效率。
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