本發明屬于光電化學陰極保護領域,具體地講,本發明涉及一種ZnIn2S4/TiO2納米復合光電材料及其制備方法和應用。通過一種簡便的原位水熱法,在超細高度支化TiO2納米草叢基底上,構建了界面充分接觸的三維納米花球ZnIn2S4/TiO2納米草叢異質結光電極。在模擬太陽光照射下,沒有額外的空穴清除劑條件下,本復合材料可實現在海水中對具有不同自腐蝕電位的純銅和低碳鋼的光電化學陰極保護效果,具有實驗操作簡單,綠色環保,應用潛力大的優點。
聲明:
“用于光電化學陰極保護的納米草叢復合光電材料及制備和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)