本發明涉及一種具有MHz高介電常數的超構電容器材料的制備方法,屬于電化學領域。上述具有MHz高介電常數的超構電容器材料的制備方法,包括:步驟1:負介電層材料石墨烯/聚偏氟乙烯復合材料的制備;步驟2:在石墨烯/聚偏氟乙烯復合材料上制備環氧樹脂涂層。本發明提供的具有MHz高介電常數的超構電容器材料的制備方法,工藝簡單,獲得具有高頻率高介電常數的超構電容器材料在100MHz?1GHz頻段,介電常數保持100以上,介電損耗正切值低于0.15,突破了介電弛豫對電容器性能的制約。
聲明:
“具有MHz高介電常數的超構電容器材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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