本發明涉及一種光透半導體材料,包括基底和附著于所述基底上的液態金屬層;所述液態金屬層上方為氧化鋅片層結構。本發明還涉及一種光透半導體材料的制備方法,該方法包括以下步驟:(1)在基底上均勻噴涂液態金屬層,靜置至所述液態金屬層的表面形成穩定氧化膜,得復合材料;(2)將步驟(1)所得復合材料浸沒于包含硝酸鋅、六次甲基四胺和水的基液中,充分靜置后取出,即得。本發明提供光透半導體材料,既保留了氧化鋅納米結構本身良好的半導性,又大大提高了其透光性,且該材料的制備方法簡單,制備工藝要求低,可廣泛應用于電子工業,具有廣闊的應用前景。
聲明:
“光透半導體材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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