本發明公開了一種超疏水自清潔輻射自降溫材料及其制備方法,其特征是首先把聚偏氟乙烯共六氟丙烯(P(VDF?HFP))和疏水二氧化硅(SiO2)共混于混合溶劑中得到P(VDF?HFP)/SiO2復合懸浮液;向溶液中逐滴加入非溶劑使P(VDF?HFP)/SiO2發生相分離形成半透明的溶膠;然后澆鑄于培養皿中室溫干燥,獲得具有微納雙階多孔結構的復合材料。本發明制備工藝簡便,方法簡單,原料易得,易大面積生產。
聲明:
“超疏水自清潔輻射自降溫材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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