本發明涉及一種Si-B-C-N非晶陶瓷的化學氣相沉積方法,將基底材料懸掛于真空爐配套試樣架上,試樣處于爐內等溫區中心位置,采用CVD/CVI法在基底材料表面/內部制備均勻的Si-B-C-N非晶陶瓷。本發明制備的Si-B-C-N非晶陶瓷可應用于連續纖維增韌陶瓷基復合材料的界面、基體和涂層,具有高溫穩定性好、抗氧化性能好、抗蠕變能力強、密度低、熱膨脹系數低、導熱系數低等優異性能,可替代SiC、Si3N4等材料,進一步提高熱結構陶瓷及陶瓷基復合材料的使用溫度和使用壽命,在航空發動機和工業燃氣輪機等高溫長壽命領域具有重大的應用潛力。同時Si-B-C-N非晶陶瓷還具有類似于半導體的電學性質和有趣的光學性質,在高溫隱身、半導體、光電、通訊和控制等領域也有廣泛用途。
聲明:
“Si-B-C-N非晶陶瓷的化學氣相沉積方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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