本發明公開了一種高致密度高純度硅碳負極材料的制備方法,涉及復合材料制備技術領域,負極材料包括均勻致密分布的硅、碳,所述材料密度滿足ρ1/ρ2≥95%,其中ρ1為實際測試密度,ρ2為理論密度。制備方法將碳素原料和硅原料進行物理氣相沉積,冷卻后得到高致密度高純度硅碳負極材料,物理沉積可采用同步或交替沉積的方式進行,利用無定形碳和氣相硅源,形成均勻致密的復合材料結構,該材料由亞納米級硅均勻地分布在無定型碳中,這種致密結構能提高材料的振實,且能有效緩解充放電過程中的體積效應。同時硅顆粒為亞納米級,其自身膨脹相對納米硅較小,能進一步提高其循環性能。
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