一種基于CuO/In2O3修飾的石墨烯MEMS氣體傳感器的制備方法,它屬于氣體敏感型傳感器領域。該方法包括:一、納米CuO的制備;二、納米In2O3的制備;三、rGO?CuO/In2O3的制備;四、AlN陶瓷基板的制備;五、銀叉指電極的制備;六、銅加熱電極的制備;七、單晶硅襯底的制備;八、氣敏材料的涂敷。本發明通過分步式制備單一材料,一步超聲水熱制備復合材料的方法得到rGO?CuO/In2O3氣敏材料,此方法可以杜絕一步混合制備石墨烯基復合材料過程中所導致的中間產物殘留等問題,使所制備的復合材料中單一材料間的比例可控且更為精確。同時輔以全新設計的復合多層式傳感器芯片結構,使其在極小的體積,極低的功耗條件下也能有出色的工作性能,兼具自動化程度高,集成性好等優勢。
聲明:
“基于CuO/In2O3修飾的石墨烯MEMS氣體傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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