本發明為一種發光二極管的緩沖層結構,應用于一發光二極管結構,該發光二極管結構包含依序堆迭的一P型電極、一永久基板、一結合層、一緩沖層、一反射層、一P型半導體層、一發光層、一N型半導體層與一N型電極,且本發明的該緩沖層為復合材料,且該緩沖層的復合材料為至少二種材料元素構成,且于材料邊界處彼此交融,據此由于該緩沖層中的復合材料沒有明顯的介面分隔,因而可以消除介面效應與材料間的應力,而提升發光二極管的發光效率與制造良率。
聲明:
“發光二極管的緩沖層結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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