本發明采用多步操作,成功制備出一維的WMCNT/MoS2的復合物,首先通過高溫退火去除WMCNT表面的雜質,隨后用硫脲和硫磺溶液,對WMCNT材料的表面進行先期處理,通過靜置處理在WMCNT表面吸附一層硫元素,作為以后反應的位點,通過高速離心處理收集處理的WMCNT,隨后加入鉬酸銨和生物質硫源L?半胱氨酸,在水熱條件下,反應生成我們需要的產物,最后為提高材料的結晶性以及增加WMCNT與MoS2之間的結合,我們對其進行退火處理。將其作為作為超級電容的電極材料,CV曲線顯示出良好的對稱性,顯示出良好的雙電層電容性能以及存在一定的氧化還原反應。
聲明:
“一維結構WMCNT/MoS2復合材料及制備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)