本發明公開了一種含Si3N4和BN復合涂層的碳陶復合材料坩堝及其制備方法,由碳陶坩堝基體依次沉積Si3N4涂層、BN涂層制得。本發明以碳陶坩堝為基體,先在其孔隙和表面(內表面和外表面)沉積Si3N4涂層,然后再沉積BN涂層制得,本發明僅需采用單一坩堝生產單晶硅,通過碳陶坩堝基體、Si3N4涂層和BN涂層三者的協同作用,極大的提升了坩堝的高溫穩定性能和抗硅蝕能力,同時坩堝表面對硅的潤濕性差,避免了生產單晶硅后的硅晶粘鍋難以清理,既延長了坩堝的使用壽命,又減少了坩堝更換頻次和提升了單晶硅生產效率。
聲明:
“含Si3N4和BN復合涂層的碳陶復合材料坩堝及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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