本發明提供了一種PEC性能良好的CoOx/BiVO4復合材料的制備,是將BiVO4薄膜浸泡于CoCl2溶液中,使Co2+達到吸附平衡;再將吸附有Co2+的BiVO4薄膜置于烘箱中干燥后置于馬弗爐中,經高溫煅燒,將CoOx納米粒子成功載入BiVO4薄膜結構,使得n型BiVO4半導體構建成為p?n異質結,形成的CoOx/BiVO4復合材料具有蟲狀結構,這種蟲狀結構有效地抑制了光生載流子的復合,加速了電子和空穴的傳輸速率,因此具有優異的PEC活性,以其作為光電陽極材料用于析氫反應,表現出優異的光電化學分解水性能。
聲明:
“負載氧化鈷納米粒子的釩酸鉍復合材料的制備及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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