本發明公開一種納米構造的聚偏氟乙烯復合材料及其制備方法。該材料主要由以PVDF為基體,以IL接枝的PVDF為納米微區組成的納米構造材料。該方法是將PVDF和IL加入熔融混煉設備熔融混煉,出料,并降溫結晶,壓制成薄膜輻射照射后高溫熔融并冷卻。優點是PVDF-g-IL納米微區將IL“受限”在納米尺寸內,減小了IL在外加電場下的運動,進而減小IL的介電損耗和產生的熱,延長了材料的使用壽命。(2)PVDF-g-IL納米微區因離子液體的加入,屬于有機導電微區,大大提高了純PVDF的導電性。(3)PVDF-g-IL微區因PVDF分子量的提高,提高純PVDF的楊氏模量。
聲明:
“納米構造的聚偏氟乙烯復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)