本發明公開了一種Al2O3包覆δ?MnO2納米片陣列復合材料及其制備方法。所述方法按KMnO4與KF的摩爾比為1:2~6,將KMnO4溶液和KF溶液混合,用稀H2SO4調節pH至1~3,加入基底材料,于100℃~140℃下進行水熱反應制得δ?MnO2納米片陣列,然后在80℃~300℃下,以三甲基鋁和水為前驅體通過原子層沉積在δ?MnO2納米片上沉積AI2O3薄膜,得到Al2O3包覆δ?MnO2納米片陣列復合材料。本發明在不破壞材料原有結構的基礎上,在材料表面沉積幾個納米厚度的保護層,提高離子傳輸能力的同時抑制了水解,使得材料的電位窗口得以擴寬,并因此提高了可逆容量,倍率性能以及循環穩定性。
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