本發明屬于量子點技術領域,具體涉及一種復合材料及其制備方法和量子點發光二極管。所述復合材料為Se摻雜的NiO納米顆粒。Se摻雜后的NiO納米顆??梢該碛懈玫碾姾蓚鬏斈芰?,從而提高空穴傳輸效率。將Se摻雜的NiO納米顆粒用于量子點發光二極管的空穴傳輸層,這樣可提高該空穴傳輸層的空穴傳輸能力和導電能力,減少與電子傳輸層的電荷差,從而提高器件的整體發光效率。
聲明:
“復合材料及其制備方法和量子點發光二極管” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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