本發明公開了一種協同促進高容量高贗電容儲鈉的VS2/S復合材料的制備方法,包括以下步驟:步驟一、稱取1.6~3g的偏釩酸銨緩慢加入到45ml水和9ml氨水混合液中,室溫下磁力攪拌至溶解,得到溶液A;步驟二、將6~9.6g硫代乙酰胺,加入到溶液A中攪拌均勻,轉移到75ml聚四氟乙烯內襯中,放入烘箱中進行水熱反應,反應溫度為160~180℃,反應時間為24h;步驟三、將水熱后的產物自然冷卻到室溫后,抽濾洗劑,將抽濾所得產物冷凍干燥,得到VS2/S復合材料;本發明制備的VS2/S復合微米花狀結構,花狀結構分布均勻,大小均一,組裝單體空間大,該VS2/S復合結構具有快速反應動力學和超高的容量,實現高容量高贗電容鈉電負極存儲。
聲明:
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