本發明涉及一種原位生長SiC納米線增強C/SiC復合材料及其制備方法,所述制備方法包括:(1)漿料制備:將聚碳硅烷、催化劑、和溶劑混合球磨制得漿料,其中所述催化劑為鐵、鎳、和/或二茂鐵;(2)真空高壓浸漬:將C纖維預制體浸入所述漿料中,于真空狀態下保持0.1~1小時,然后通入高壓惰性氣體至1~10MPa,保壓1~4小時;(3)交聯固化:將浸漬過的C纖維預制體放于空氣中6小時以上進行交聯固化制得預成型體;以及(4)高溫裂解:將所述預成型體在保護氣氛下以2~10℃/分鐘的升溫速率升溫至1000~1300℃保溫1~4小時,以在所述聚碳硅烷熱解過程中在金屬催化劑作用下原位生長SiC納米線,從而制得所述原位生長SiC納米線增強C/SiC復合材料。
聲明:
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