本發明屬于材料化學技術領域,具體涉及一種低介電常數中空氧化鋁/二氧化硅納米復合材料,并進一步公開其制備方法及應用。所述低介電常數中空氧化鋁/二氧化硅納米復合材料為具有閉合空腔結構的疊層殼體結構,通過在中空二氧化硅殼層外表面定向沉積氧化鋁,其內層殼體為二氧化硅層,并在二氧化硅層表面沉淀生長氧化鋁外殼殼體,有效結合了氧化鋁與二氧化硅的優點,可同時發揮中空二氧化硅的低介電常數、低折射率、高頻介電穩定性的優點,同時利用氧化鋁材料高強度、抗化學侵蝕、熱導率小、熱膨脹系數低等優勢,可適用于減反射領域及5G毫米波頻段領域的性能要求。
聲明:
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