本發明屬于有機?無機雜化半導體材料技術領域,具體為一種反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24雜化復合材料及其制備方法;本發明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24雜化復合材料的形貌為納米立方體構成的薄膜結構,由Ga3+和In3+離子聯合調控能級形成反型Cs2SnI6結構,晶型為面心立方結構,表面形貌為納米立方體且表面分布有中空結構;本發明制備得雜化薄膜表面均一、致密,同時具有良好晶體學特性和光電性能,在太陽能光伏器件、發光二極管、傳感器等領域具備良好的應用前景;并且,其制備方法無需高溫煅燒,生產工藝簡單、生產效率好、合成成本低且環保節能,適合大規模工業化制造。
聲明:
“反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24雜化復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)