本發明提供一種具有高電化學特性的硅/石墨烯多層膜復合材料陽極結構,藉石墨烯高導電性的優點改善硅材料的電化學特性,并將該石墨烯及該硅薄膜的厚度皆控制于100nm以下,以降低充放電過程中各薄膜的體積變化。首先于銅箔電流收集器表面沉積一石墨烯薄膜以形成該結構的底表面,可避免該電流收集器與該硅薄膜的導電度差異過大而造成電化學表現不佳。為防止該硅薄膜因接觸空氣而氧化成不具活性的二氧化硅,故最后亦以一石墨烯薄膜形成該結構的頂表面。
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