本發明提供了一種基于多線切割技術的1?3復合材料制備方法,屬于電子元器件制造技術領域。該方法由傳統壓電陶瓷基體制備、上電極、多線切割以及后續的灌注、加工、印制電極等工藝過程組成。本方法發明的單、雙面多次切割工藝,充分發揮了多線切割小應力、接近常溫切割的特點,實現對極化后的壓電陶瓷進行高精度切割,制備的復合材料無明顯退極化,能夠充分發揮基體材料性能,避免了傳統工藝灌注后極化困難的不利影響。與傳統工藝相比,適合批量式生產,具有明顯的技術優勢。
聲明:
“基于多線切割技術的1-3復合材料制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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