本發明公開了一種具有高可見光活性的MnISCN納米復合材料及其制備方法,是先采用冷凍膨脹和熱處理協同的方法無模板地合成了介孔g?C3N4納米片,再在MnIn2S4納米片原位負載介孔g?C3N4納米層結構,制備出具有高可見光活性的MnIn2S4/g?C3N4納米復合材料,較單獨的MnIS納米薄片和介孔CN納米片而言,本發明制得的MnISCN納米復合材料在MnIS納米薄片和CN納米片之間建立了緊密2D/2D異質界面,有效地加速了光生電荷載體的轉移和分離,具有高效光催化醫藥廢水的降解能力和光解水制備氫氣的活性,該體系在光催化領域具有巨大的應用潛力。
聲明:
“具有高可見光活性的MnISCN納米復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)