本發明涉及一種C/SiC-HfC碳纖維增強超高溫陶瓷基復合材料的制備方法,采用真空壓力浸漬法在C/SiC預制體中引入C有機前軀體或者直接采用C/C預制體,結合反應熔體浸滲法,利用硅鉿合金與C反應原位生成HfC-SiC。得到的復合材料含有高體積分數的HfC,且生成的SiC、HfC晶粒細小,有效提高了材料的抗燒蝕性能。本發明能夠適用于復合材料,在材料制備過程中原位生成HfC相,增加鉿化合物的體積分數,提高其抗燒蝕能力。
聲明:
“C/SiC-HfC碳纖維增強超高溫陶瓷基復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)