本發明提供了一種CuS?MXene納米復合材料及其制備方法和應用,屬于納米能源材料技術領域。本發明提供的CuS?MXene納米復合材料包括MXene和附著在所述MXene上的CuS納米顆粒;所述MXene為單層和/或少層MXene。本發明在MXene單/少片層上均勻生長納米級CuS顆粒,可以增加CuS正極材料的導電性,避免隨著尺度減小CuS顆粒的團聚,抑制反復充放電過程CuS結構的不可逆破壞,同時二維材料較高的比表面積能夠有效增大電解質與正極材料的接觸面積,提升電化學性能。
聲明:
“CuS-MXene納米復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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