本發明公開了一種石墨烯@硅復合材料及其制備方法,表面附有氫的納米硅通過化學沉積包覆一層金屬鎳,然后利用碳源進行滲碳工藝后再在低溫下原位催化生長石墨烯,最后去除金屬鎳,最終得到多層石墨烯包覆硅的石墨烯@硅復合材料,本發明制備過程簡便易行,無需在危險或高溫條件下進行,制備的復合材料改善了硅材料的循環和倍率性能,促進了硅基負極材料的進一步發展。
聲明:
“石墨烯@硅復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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