本發明提供了一種金屬氧化物納米晶須/Si復合材料及其催化生長方法。該發明具有如下優點:1.生長的納米晶須/Si復合材料形貌均勻可控,光學穩定性好且具有較好耐高溫性能。2.能大幅的提升硅基太陽能電池片的各項性能參數和光電轉換效率。3.工藝簡單,操作性強,原料廉價且能重復使用,生產成本低,效益高,適用于工業大生產。本發明工藝主要是運用催化化學沉積方法,形成一層形貌均勻可控、厚度約為20-100nm的金屬氧化物納米晶須/Si復合材料。利用納米晶/量子點的陷光效應、限域效應和多重激子效應等,大幅提高晶硅電池片的光電轉換效率。
聲明:
“金屬氧化物納米晶須/Si復合材料及其催化生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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