本發明提供低損耗高抗氧化碳化硅纖維增強氧化鋯?鎢酸鋯陶瓷復合材料的制備方法,包括以下步驟:SiC@SiO2核殼結構的制備、表面沉積氧化鑭薄膜的SiC@SiO2核殼結構的制備、低損耗高抗氧化碳化硅纖維的制備、球磨、干壓成型、燒結。本發明還提供了上述方法制得的低損耗高抗氧化碳化硅纖維增強氧化鋯?鎢酸鋯陶瓷復合材料。本發明提供的陶瓷復合材料為氧化鋯?鎢酸鋯復合而得,氧化鋯為正膨脹系數材料,鎢酸鋯為負膨脹系數材料,組合后的材料膨脹系數極低,避免了高溫環境下膨脹導致材料力學性能下降。
聲明:
“低損耗高抗氧化碳化硅纖維增強氧化鋯-鎢酸鋯陶瓷復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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