本發明涉及鍍鈦金剛石/SiC復合材料的真空熔滲制備工藝,通過金剛石鍍鈦的方式增強復合材料中硅與金剛石之間的界面結合性;首先,將金剛石與鈦粉按比例混合,隨后在真空或惰性氣體氛圍下進行燒結鍍覆,使金剛石表面形成碳化硅層,由此制備鍍鈦金剛石顆粒;接著將鍍鈦金剛石,硅粉,石墨以及有機粘結劑混合均勻,并壓制成規則形狀的復合材料的多孔預制坯體,然后將預制坯體進行脫脂處理,經過脫脂的多孔坯體在真空熔滲爐中進行液硅熔滲,使其完全致密。在熔滲過程中TiC與Si發生反應,生成SiC和Ti2SIC3,相比于Si與金剛石之間的直接反應生成碳化硅的界面相,TiC作為中間相加快了SiC的形成,降低了SiC的生成難度,提高了SiC含量,而金剛石和硅之間由于化學反應形成的界面結合提高了材料的整體強度。 1
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