本發明公開了一種碳納米管?碳化硅納米線復合材料,為一維納米結構,該材料中碳化硅納米線沿碳納米管的長度方向生長。該材料的制備方法:將預處理基片放入管式爐中,采用化學氣相沉積法在基體上沉積碳納米管;再采用化學氣相沉積法在碳納米管上沉積碳化硅納米線,得到碳納米管?碳化硅納米線復合材料。本發明充分利用碳納米管和碳化硅納米線在用CVD方式制備時都遵循V?L?S生長機制,從而制備出一種全新的一維納米結構材料,該復合材料中碳化硅納米線沿碳納米管的長度方向生長,可以將碳化硅納米線和碳納米管的優異性能進行互補,通過控制二者的長度分配而獲得需要的導電和導熱性能材料,對于新型納米電子器件的研制具有重要意義。
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