本發明提供一種碳基半導體復合材料及其制備方法。本發明基于CQDs具有優異的儲存電子能力、上轉換熒光性能且能夠在材料表面形成水溶性保護,Fe2O3具備優異的電子傳輸性,以及C3N4優異的電子遷移,再加上CQDs和C3N4類似的共軛結構可以使得二者穩定的聚集在Fe2O3表面形成穩定的三相結構,CQDs的共軛結構和苯之間的π–π相互作用有利于苯富集在復合材料的表面,三者協同作用可以在可見光下高效降解有機氣體污染物(苯的降解效率可以達到91%)。漸進式加熱方式進行高壓水熱反應形成均勻包覆的Fe2O3?C3N4?CQDs復合材料。
聲明:
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