本發明公開了一種快離子導體包覆硅碳復合材料及其制備方法,復合材料呈現核殼結構,以硅基材料為內核,外殼為質量占比為10~40%快離子導體、1~10%導電劑、1~10%金屬氧化物,其余為無定形碳;以復合材料質量100%計,外殼的質量占比為1~10%;所述內核硅碳為Si?SiOX復合體組成,質量比Si:SiOX=0.1~0.5:1。本發明能提升硅碳材料的快充性能及其首次效率,降低膨脹。
聲明:
“快離子導體包覆硅碳復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)