本發明公開了硫化錸的制備以及硫化鎘/硫化錸復合材料。采用常壓化學氣相沉積法,以硫粉為硫源,以三氧化錸為錸源,在惰性氣體保護下以及水輔助前提下,在云母片基底上生長二維單層二硫化錸;進一步,通過二次生長的方法,在長有二維單層二硫化錸的云母片基底上再次沉積硫化鎘顆粒,得到在硫化錸表面生長有硫化鎘顆粒的CdS/ReS2復合材料。本發明工藝簡單、成本低、快速、高效可控,制備得到高質量單層硫化錸,硫化鎘沉積在二維材料硫化錸上得到的CdS/ReS2復合材料更具有優異的光電性能,應用在光電器件上具有很高的響應率。
聲明:
“硫化錸的制備以及硫化鎘/硫化錸復合材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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